Los páramos escoceses son el lugar del mundo que mas número de inventos ha producido por número de habitantes, o al menos eso es lo que tratan de justificar por allí. Y no nos extraña, el clima inhóspito da mucho tiempo para pensar.
Científicos de la Universidad de Glasgow, en colaboración con colegas de las universidades de Edinburgh, Manchester, Southamton y New York, han desarrollado una tecnología que ayudará a los diseñadores de microchip a crear los circuitos integrados del futuro.
Como parte de un proyecto piloto denominado NanoCMOS, se han desarrollado herramientas de simulación que toman ventaja de la tecnología grid computing para predecir cómo miles de millones de nano-transistores, cada uno con su propias variaciones a escala atómica no predecible se comportan dentro de un circuito.
Tal simulador ayudará a atajar el problema de “variabilidad estadística” dentro de los transistores, que es un obstáculo principal para continuar reduciendo el tamaño de los Complementary Metal-oxide Semiconductor (CMOS) en las generaciones de la tecnología de nano-escala del futuro.
Los transistores a nano-escala son el corazón de toda la electrónica moderna y juegan un papel vital en la economía digital del futuro.
Desde su invención en 1947, se consiguió que fuesen cada vez más pequeños y hoy en día podemos colocar miles de millones de transistores en una pequeña lámina de silicio.
Los transistores de hoy en día tienen longitudes de 40 nanómetros; mientras que un cabello humano tiene una anchura de 100.000 nanómetros. O sea, en el diámetro de un cabello caben 2.500 transistores. Pero cuanto más pequeño es, las imperfecciones y variaciones a escala atómica dentro de cada transistor es un problema. Las variaciones estadísticas entre transistores ocurren principalmente debido al número y posiciones de dopantes discretos – agentes químicos introducidos en el silicio para formar la estructura de los agentes individuales.
Esta variabilidad estadística significa que los circuitos, formados por millones de transistores para desarrollar circuitos más poderosos. Son necesarios nuevos diseños y circuitos que pueden tener en cuenta la variabilidad estadística.
30 noviembre 2009
Nueva tecnología para los circuitos integrados del futuro
Los páramos escoceses son el lugar del mundo que mas número de inventos ha producido por número de habitantes, o al menos eso es lo que tratan de justificar por allí. Y no nos extraña, el clima inhóspito da mucho tiempo para pensar.
Científicos de la Universidad de Glasgow, en colaboración con colegas de las universidades de Edinburgh, Manchester, Southamton y New York, han desarrollado una tecnología que ayudará a los diseñadores de microchip a crear los circuitos integrados del futuro.
Como parte de un proyecto piloto denominado NanoCMOS, se han desarrollado herramientas de simulación que toman ventaja de la tecnología grid computing para predecir cómo miles de millones de nano-transistores, cada uno con su propias variaciones a escala atómica no predecible se comportan dentro de un circuito.
Tal simulador ayudará a atajar el problema de “variabilidad estadística” dentro de los transistores, que es un obstáculo principal para continuar reduciendo el tamaño de los Complementary Metal-oxide Semiconductor (CMOS) en las generaciones de la tecnología de nano-escala del futuro.
Los transistores a nano-escala son el corazón de toda la electrónica moderna y juegan un papel vital en la economía digital del futuro.
Desde su invención en 1947, se consiguió que fuesen cada vez más pequeños y hoy en día podemos colocar miles de millones de transistores en una pequeña lámina de silicio.
Los transistores de hoy en día tienen longitudes de 40 nanómetros; mientras que un cabello humano tiene una anchura de 100.000 nanómetros. O sea, en el diámetro de un cabello caben 2.500 transistores. Pero cuanto más pequeño es, las imperfecciones y variaciones a escala atómica dentro de cada transistor es un problema. Las variaciones estadísticas entre transistores ocurren principalmente debido al número y posiciones de dopantes discretos – agentes químicos introducidos en el silicio para formar la estructura de los agentes individuales.
Esta variabilidad estadística significa que los circuitos, formados por millones de transistores para desarrollar circuitos más poderosos. Son necesarios nuevos diseños y circuitos que pueden tener en cuenta la variabilidad estadística.
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