Desde hace varios años la tecnología de células solares de film lucha por abrirse camino en el sector fotovoltaico y abaratar los costes de los generadores solares. Pero a la hora de la verdad, esta tecnología, que básicamente consiste en conseguir ahorrar material a base de disminuir el grosor de la célula solar, no acaba de arrancar definitivamente.
Recientemente, una de las referencias mundiales en investigación sobre energía solar (US Department of Energy´s National Renewable Energy Laboratory – NREL) ha anunciado que están muy cerca de crear una célula solar de film que pueda competir en eficiencia con las células de silicio convencionales. Se trata de una célula solar de film, fabricada en diselenuro de galio indio y cobre con la que se ha alcanzado una eficiencia del 19,9 % en ensayos de laboratorio, con lo que se ha conseguido un nuevo record si la referenciamos al coste. En efecto, esta eficiencia está aún lejos del 42,8 % alcanzado en julio de 2007 en la Universidad de Delaware por un consorcio de investigadores, pero hay una gran diferencia en los costes de fabricación entre ambas tecnologías así como en los campos potenciales de aplicación.
Las tecnologías de silicio amorfo y teleruro de cadmio (CdTe) son dominantes cuando se comparan con el tamaño de mercado de las células solares CIGS, aunque esta última tecnología está en plena ebullición. Las mejoras en los módulos CIGS no solamente se traducen en el incremento de la eficiencia de los módulos, sino que también se consigue mejorar la flexibilidad de los mismos.
Otras mejoras para la optimización de células solares han tenido lugar en Oak Ridge National LAboratory (ORNL). Su técnica de procesado térmico es un método revolucionario que permite mayor funcionalidad a los nanomateriales debido a su capacidad para controlar la difusión a escala de nanómetros. Las características inherentes de esta tecnología pueden potencialmente revolucionar los sistemas fotovoltaicos.
Bibliografía: Thin film solar cell efficiency rises. Power Engineering International May 2008
Palabras clave: Copper indium gallium diselenide (CIGS), Amorphon silicon, cadmium telluride (CdTe), thermal processing technique
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